落后西方近30年 就是奔腾4水平！俄罗斯称今年底掌握130nm光刻技术 意义重大

7月28日消息，在成功造出两台150nm光刻机原型机之后，俄罗斯相关部门对外公开表态，将在今年年底正式完全掌握130nm全流程光刻技术。

俄罗斯泽列诺格勒纳米技术中心ZNTC目前已经正式启动两套设计工艺为150nm的电子束光刻系统原型的全面实机测试，整套设备的完整测试周期预计会持续四个月左右。

这套自研光刻系统可以直接在硅片上完成微电路的图案化加工，还能不需要额外配套掩模，直接制作生产环节所需的光掩模。这套工艺路线非常适配芯片原型开发、前沿技术研发场景，也能满足各类专用微电路的小批量生产需求。

与之形成鲜明对比的是，当前全球头部的顶尖芯片制造商比如英特尔、台积电，早已经开始用1.8nm到2nm的先进工艺大规模量产消费级处理器，生产环节全部采用最顶尖的EUV极紫外光刻机设备。

从参数指标层面核算，俄罗斯当前国产的150nm光刻机，在元件线性尺寸参数上比全球最先进的商用光刻标准落后75倍，在元件面积也就是晶体管密度指标上更是落后5625倍。这套自研系统的实际技术水准对标全球工业体系2000年代初的水平，刚好是奔腾4处理器大规模量产的时代。

俄罗斯第一副总理丹尼斯·曼图罗夫对外公开表态，这一系列自研光刻设备的落地，标志着俄罗斯时隔45年之后，正式重返世界微电子强国的序列。他给出明确预期，到2026年底，俄罗斯的本土产业就会完全掌握成熟的130nm光刻全链条技术。

不少行业分析人士指出，单从商业消费级先进芯片的维度来看，130nm工艺看起来技术非常落后，和全球顶尖水平存在巨大差距。

但这套完全自主的光刻技术，完全可以支撑汽车电子、工业控制、雷达、航天以及各类军用基础芯片的本土自主生产，从国家安全供应链自主可控的角度来看，是一个分量极重的阶段性里程碑。