全球首颗！中国科研团队研发全新架构闪存芯片
投稿人:丁丁
更新时间: 2025-10-10 11:10
全球首颗！中国科研团队研发全新架构闪存芯片
【太平洋科技快讯】10 月 10 日消息，继今年4月在《自然》(Nature)上提出“破晓”二维闪存原型器件后，复旦大学科院团队再次迎来新突破。
10 月 8 日晚，复旦大学集成电路与微纳电子创新学院周鹏-刘春森团队在国际顶级期刊《自然》发表研究成果，题目为《全功能二维-硅基混合架构闪存芯片》(“A full-featured 2D flash chip enabled by system integration”)，这一突破为应对摩尔定律物理极限挑战提供了全新解决方案。
面对传统硅基芯片性能逼近极限的困境，原子级厚度的二维半导体被国际学界视为破局关键。团队通过创新性提出“长缨（CY-01）架构”，将超快闪存器件“破晓”与成熟硅基 CMOS 工艺深度融合，以“先分后合”策略率先实现二维材料与硅基电路的高效集成，芯片良率高达 94.3%。
该芯片支持 8-bit 指令操作与 32-bit 高速并行处理，性能远超现有闪存技术。研究团队表示，这一“源技术”有望颠覆传统存储架构，为人工智能、大数据等领域提供更高速、低能耗的存储方案。下一步，团队计划通过产学研协同合作，为市场带来变革。
